晶圆表面污染物分析机构哪家专业？

在大规模集成电路的生产与研发背景下，市场对晶圆质量与性能的要求越来越严格，随之而来的是晶圆表面污染物分析等问题。英格尔检测机构专家解释，当前不论是抛光片金属污染、表面颗粒、自然氧化膜，还是有机物污染、微粗糙度等都将直接影响着ULSI的性能和成品率。英格尔检测将提供专业完善的一站式晶圆表面污染物分析服务。

英格尔实验室检测专家称，在热处理和栅极氧化层生长处理前，降低金属元素污染是前道工艺的重中之重，金属污染也会导致表面和界面微粗化和硅化物的产生。VPD-ICPMSMS作为业界使用的一种最灵敏的表面分析技术作为监控晶圆表面元素污染的重要手段。

VPD-ICPMSMS有如下几个特点：

1. 高原子序数（High-Z）及低原子序数（Low-Z）元素可以在一次分析中得到所有结果；

2. 对关注的各个元素，检出能力可以覆盖从常见的八寸晶圆E10的要求到十二寸晶圆E7的需求；

3. 对于晶圆倒角、特定区域（或正反面）或亲水性的第三代半导体晶圆都可以进行元素评估。

英格尔检测VPD-ICPMSMS的分析过程：

1.气相分解阶段

英格尔检测利用气化的HF酸分解掉晶圆表面的氧化硅层，称为Fume过程。

2.扫描收集阶段

使用一定体积的超纯酸做为扫描液扫描整个晶圆表面或特定区域。英格尔检测在扫描过程中，金属元素会被溶解在该扫描液中，扫描完成后将该扫描液收集至样品杯中。

3.分析阶段

将扫描液引入ICPMSMS进行分析，测得各个元素浓度，进而算出晶圆表面元素密度。

4.分析环境

晶圆表面元素含量通常在100ppt~0.Xppt范围，超净的无尘室环境成为测量准确性的重要前提，通常需要达到百级，局部十级以内的超净分析环境。英格尔检测晶圆表面污染物分析周期1-5工作日，全程数据可查电联17612169757，支持现场参观测试。

英格尔检测不仅可以针对晶圆表面污染情况提供评估服务，还可将VPD-ICPMSMS通过英格尔实验室，来检测晶圆特殊区域达到评估材料洁净度与评估生产设备的目的。除此之外，晶圆表面清洗也是重要的制备工艺。英格尔拥有先进仪器设备与专业科研团队，可提供晶圆表面污染评估服务。