“我国科学家在磁斯格明子研究中获重要进展”

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科技日报合肥10月27日电(记者吴长锋)记者从中国科学院合肥研究院获悉，我院强磁场中心磁功能材料和器件研究小组利用洛伦兹透射电镜研究了kagome晶体fe3sn2中的磁结构，明确了此类材料中多种异质拓扑的起源，成果如下:“ 在此基础上，研究小组进一步用fe3sn2纳米盘观测到新的零磁场和室温下稳定的磁涡流结构，并将其命名为靶态磁泡，成果发表在《美国化学学会纳米》上。

虽然磁泡是“古老”的柱状磁畴结构，但第一类磁泡与斯格明子具有同样非凡的拓扑性质，被命名为磁泡斯格明子，在未来的自旋电子学行业具有潜在的应用价值。 fe3sn2是中国科学家最先发现的kagome晶体磁泡材料。 但是，这些多而杂的磁结构无法用之前流传的磁泡理论来解释，成为磁泡斯格明子研究行业的疑问，限制了磁泡斯格明子的进一步研究。

因此，分析了传统磁结构分析技术的缺陷，利用洛伦兹透射电镜的差分相位分析技术得到了这些许多异质磁结构的真实特征，进一步模拟了该三维磁泡厚度方向的积分磁化分布，与稳态强磁场得到的磁结构高度一致

在此基础上，研究人员还制备了fe3sn2纳米盘，通过零磁场加热方法，成功地从传统的软磁涡流转换为类似箭靶的新型环状磁涡流结构。 这是因为研究者将其命名为“目标磁泡”。 靶态磁泡的环数可以利用纳米盘的直径比较有效地调节，在室温和零磁场下稳定存在，同时具有多重简并状态，是器件的理想新闻载体。 目标磁泡研究事业被“美国化学学会-纳米”选为亮点事业，并在要点中进行了介绍。